文章基本信息
- 标题：Equivalent Circuit of Al/SiO2/n-Si Structures Irradiated by Helium Ions with Energy 5 MeV at Fluence 1012 cm-2
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- 作者：Vo Quang Nha ; Huynh Thi Thuy Linh ; Nikolai I.Gorbachuk 等
- 期刊名称：European Journal of Technology and Design
- 印刷版ISSN：2308-6505
- 电子版ISSN：2310-3450
- 出版年度：2020
- 卷号：8
- 期号：1
- 页码：26-32
- 语种：English
- 出版社：Academic Publishing House Researcher
