電界効果トランジスタの伝達特性の指数定数は通常2として扱われているが, これを一般にnとして, 高周波増幅器の混変調ひずみ, および, 周波数混合器の変換利得を一般的に求め, 実験値と比較した.同時にチューナーのIC化を考慮して, 局部発振器もFETで構成して, その周波数安定度について検討した.これらの理論および実験をFETチューナーの設計に適用することにより, 従来のチューナーの諸特性を著しく改善できることが明らかとなった.