a-Si光導電素子を用いてマトリックス駆動方式密着イメージセンサ (A4サイズ-8dot/mm) を開発した.基板ガラス裏面側から光入射を行い, 対向側に反射膜を設けることにより, 光導電素子の高感度化を図った.さらに, この素子とマトリックス駆動配線を同一基板上に一体形成する技術の開発により5×240mmと大幅な小型化を達成した.素子性能を表す重要な因子として, 光応答速度, 過渡応答電流, γ特性について, 直流電圧印加動作およびセンサの読出し動作を考慮したパルス電圧印加動作を比較し, 相互の関連性について検討を加えた.これらの結果は, a -Si光導電層の空乏層領域およびバルク抵抗で決まる時定数を基に解釈し得ることを示すと共に, 素子の光および電気的特性を明らかにした.さらに, γ特性, 光応答速度, 光劣化効果の観点から適正な入射光波長範囲について言及した.