テトラーtert-ブチルフタロシアニン金属錯体 ( M -ttbPc ( M =Cu, VO)) のLB膜をITOとAl電極で挾んだサンドイッチ型の光センサーを作製した。 M -ttbPc光センサーの電圧-電流特性, 光応答特性, またLB膜を熱処理したセンサーの各特性を測定した。VO-ttbPcを用いた光センサーにおいて光電流0.22μA/10mm2, 明暗電流比約920倍, 光電流応答時間 (Tr+Td) 1msの特性が得られた (30層, Bias電圧;-1V印加時)。また熱処理されたLB膜において, VO-ttbPc分子の配列とエネルギー準位ともに熱処理前の特性とほとんど変化なく, 高い明暗電流比を保ったままであることが分かった。