デンプンの糊化に伴う化学構造の変化を分光学的にとらえることを最終目的とし,糊化度の異なる糊化処理デンプン試料の近赤外スペクトルを測定し,同スペクトルの解析を行い,次の結果を得た. (1) 糊化処理デンプン試料の近赤外スペクトルは糊化度の違いにより大きく上下にシフトした. (2) 2次微分処理により,同スペクトルの直線的ベースライン変動は除去できたが,糊化処理による試料の膨張に伴うスペクトルの変動は除去できなかった. (3) 糊化処理により直接影響を受けないC-Hに帰属される吸収バンド(1702nm)のd²log(1/R)値で各波長のd²log(1/R)値を割ることによって試料の膨張に伴うスペクトルの変動を除去できた.得られたスペクトルを正規化2次微分スペクトルとした. (4) 正規化2次微分スペクトルにおいて,糊化度の増大によるスペクトルの変化は,例えば1926nm近傍および2080nm近傍で観察された. (5) 正規化2次微分スペクトルを基に,糊化度を推定するキャリブレーションモデルを作成したところ良好なモデルが得られた(r=0.99,SEC=5.45%) 以上のことから,糊化処理デンプンの近赤外スペクトルは,糊化処理に伴う試料の膨張の影響を強く受けており,その影響を除去する方法として糊化処理で構造変化を生じないCHの吸収バンドで各波長の2次微分値を割る正規化が有効であること,正規化2次微分スペクトルにおいて糊化処理に伴うデンプンの水和に関連したバンドが明瞭に観察されること,およびそのバンドを第1波長とする2波長からなる検量線を作成した結果,精度の高いモデルが作成できることが明らかとなった.