期刊名称：Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Sociale
印刷版ISSN：1814-3199
电子版ISSN：2345-1017
出版年度：2012
卷号：2
期号：52
页码：70-75
出版社：Moldova State University
摘要：Monoseleniura de galiu (GaSe) este un semiconductor stratificat cu legături covalente între atomii împachetăriiplanare Se-Ga-Ga-Se [1] şi cu legături polarizaţionale slabe între împachetări. La suprafaţa împachetăriilegăturile chimice sunt închise, conducând la densitatea mică a stărilor de la suprafaţă. Specificul structuriicristaline indică prezenţa proprietăţilor fizice deosebite (anizotropie puternică a proprietăţilor optice şielectrice), clasând materialul ca fiind unul promiţător pentru dispozitive fotoelectrice, optice neliniare, fotonice[2-4]. Caracteristici performante ale dispozitivelor pot fi obţinute prin diverse procedee tehnologice,cum ar fi nano-structurare şi doparea controlată a materialului primar. În ultimii ani a fost cercetată intensmonoseleniura de galiu dopată cu elemente din grupele I, II, IV, cum ar fi: Cu, Zn, Cd, Sn [5-7], metale detranziţie: Mn, Fe, Co [8-9] şi pământuri rare: Er, Tm [10-12]. În elementele din grupa pământurilor rare,nivelul 4f este ocupat parţial cu electroni. Acest fapt contribuie la realizarea tranziţiilor radiative şi absorbantepe niveluri 4s2, 5p6. Tranziţiile electronilor de pe nivelul 4f, din interiorul centrului, nu depind de mediulamorf sau cristalin în care se află atomul, precum nici de temperatură, fapt ce determină diversitatea aplicaţiilorpractice ale materialelor dopate cu pământuri rare. Energia tranziţiilor electronice cu emisie a fotonilorîn interiorul centrului Eu3+ este comensurabilă cu lăţimea benzii interzise a monoseleniurii de galiu [13,14],ceea ce face posibil transferul de energie între centrul Eu3+ şi absorbţia excitonică în semiconductor. Înlucrare se cercetează diagrama benzii de absorbţie fundamentală şi fotoluminescenţa cristalelor GaSe dopatecu 0,025% at., 0,068% at. şi 0,49% at. de Eu
