期刊名称：Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Sociale
印刷版ISSN：1814-3199
电子版ISSN：2345-1017
出版年度：2013
卷号：2
期号：62
页码：50-53
出版社：Moldova State University
摘要：Homojoncţiunea p+-p--n+InP cu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In-PCl3-H2 (p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescut cu două ordine, iar eficienţa CS este de 12% pentru homostructura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri
其他摘要：p+-p--n+InP homo-junction with or without nCdS frontal layer was obtained by gaseous phase epitaxy method in a In-PCl3-H2 (p-InP, n+InP) system and by quasi-closed volume method (nCdS). From the studies of electrical and photo-electrical properties of these structures it has been established that their photo-sensitivity increases by two orders of magnitude and the SC efficiency is of 12% for the homo-structure with nCdS frontal layer, due to the diminishing of minority charge carriers surface recombination and the peculiarities of electrical and photo-electrical properties of these structures
关键词：homojoncţiune; fosfură de indiu; celulă solară; procedeu tehnologic; strat epitaxial
其他关键词：homojunction; indium phosphide; solar cells; technological procedure; epitaxial layer.
