期刊名称：Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Sociale
印刷版ISSN：1814-3199
电子版ISSN：2345-1017
出版年度：2007
卷号：1
期号：1
页码：273-277
出版社：Moldova State University
摘要：Semiconductorii de tipul AIIIBVI se cristalizează sub formă de straturi. În fiecare împachetare stratificată atomii calcogenului şi ai metalului formează plane aranjate în ordinea Hal-Me-Me-Hal. Legăturile atomare în interiorul împachetării stratificate sunt realizate de forţe covalente, pe când între împachetări – de forţe po-larizaţionale (de tip Van-der-Waals). Legăturile de valenţă la suprafaţa împachetării stratificate în cristalele de GaS şi GaSe sunt închise, ceea ce determină o concentraţie mică a densităţii stărilor de suprafaţă. Concen-traţia mică a stărilor de suprafaţă în ansamblu cu valoarea relativ mică a coeficientului de absorbţie în banda fundamentală sunt două condiţii necesare ce determină performanţa parametrilor tehnici ai tranzistoarelor cu efect de câmp de tipul metal-semiconductor, ai tranzistorului bipolar cu heterojoncţiune [1] ş.a. Aceste cerinţe le satisfac straturile subţiri din compuşii AIIIBVI, ceea ce determină că straturile suprasubţiri de GaS şi GaSe tot mai larg se folosesc în calitate de strat de acoperire în structurile metal-semiconductor [2,3]. Îmbunătăţi-rea parametrilor tehnici ai dispozitivelor cu strat pasiv de GaS şi GaSe se prevede prin micşorarea defectelor structurale, îndeosebi în interiorul împachetării stratificate (în subreţeaua metalului). După cum s-a demonstrat în [4], doparea cristalelor de GaSe cu Cu în concentraţii mici (~ 0,1% at.) conduce la micşorarea defectelor în subreţeaua metalului şi se manifestă prin micşorarea concentraţiei nivelelor de captură cu energie mică.În lucrare se analizează spectrele de absorbţie în domeniul marginii benzii fundamentale a straturilor mono-cristaline de GaS şi GaSe dopate cu Cu, din care se determină caracterul tranziţiilor optice şi lărgimea benzii optice a acestor materiale.
