文章基本信息
- 标题：High-pressure Gas Activation for Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors at 100 °C
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- 作者：Won-Gi Kim ; Young Jun Tak ; Byung Du Ahn 等
- 期刊名称：Scientific Reports
- 电子版ISSN：2045-2322
- 出版年度：2016
- 卷号：6
- 期号：1
- DOI：10.1038/srep23039
- 语种：English
- 出版社：Springer Nature
