摘要：Lapisan tipis TiO 2 doping Cu telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat kaca dengan teknik spin coating . Lapisan tipis TiO 2 : Cu dibuat dengan konsentrasi doping 1 hingga 10 wt.% dengan suhu annealing 500 o C. Hasil analisis spektrum transmitansi pada daerah UV-Vis menunjukkan bahwa lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan suhu annealing 500 o C memiliki energy gap untuk transisi langsung sebesar 3,51-3,59 eV dan untuk transisi tidak langsung sebesar 3,26-3,57 eV. Energy gap paling sempit yang dapat dicapai pada lapisan tipis TiO 2 : Cu dengan suhu annealing 500 o C adalah pada konsentrasi Cu 8%. Penggunaan doping Cu dapat memperlebar spektrum serapan cahaya dari lapisan tipis TiO 2 sehingga lapisan tipis TiO 2 : Cu dapat diaplikasikan sebagai anti pantulan pada sel surya.
