摘要：A description of the laser ellipsometrical microscope LEM-3 for control the thickness of thin films was pursued. It is rotined that the elipsometrical methods of control allow to measure thickness and coefficients of refraction of transparent dielectric thin-films in the range of thickness from 0,3 nm to 1500 nm (0,0003–1,5 mkm) with the error of measuring ±0,3 nm.
其他摘要：Проведено описание работы лазерного эллипсометри< ческого микроскопа ЛЭМ<3 для контроля толщины тонких пленок.Показано, что эллипсометрические методы контро< ля позволяют измерять толщины и коэффициенты прелом< ления тонких прозрачных диэлектрических пленок в диапа< зоне толщин от 0,3 нм до 1500 нм (0,0003–1,5 мкм) с погрешностью измерения ±0,3 нм.
关键词：control the thickness; thin dielectric film; ellipsometrical method; coefficient of refraction
