摘要：Film tipis CdTe dengan doping tembaga (Cu) berkonsenterasi 2% telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dengan metode dc magnetron sputtering. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh doping Cu(2%) terhadap struktur morfologi, struktur kristal, fotoluminisensi dan resistivitas listrik film CdTe. Citra morfologi Scanning Electron Microscopy (SEM) dan hasil analisis struktur dengan X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film CdTe:Cu(2%) mempunyai citra permukaan dan struktur kristal yang lebih sempurna dibandingkan film CdTe tanpa doping. Hasil analisis spektrometer fotoluminisensi menunjukkan bahwa film CdTe dan CdTe(2%) mempunyai puncak fotoluminisensi pada tiga panjang gelombang yang identik yaitu 685 nm (1,81 eV), 725 nm (1,71 eV) dan 740 nm (1,67 eV). Film CdTe dengan doping Cu(2%) memiliki intensitas puncak fotoluminisensi yang lebih tajam pada pita energi 1,81 eV dibandingkan dengan film CdTe tanpa doping. Pengukuran arus dan tegangan (I-V) menunjukkan bahwa pemberian doping Cu(2%) dapat menurunkan resistivitas film dari 8,40x109 Ωcm menjadi 6,92x105 Ωcm. Sebagai absorber sel surya, kualitas film tipis CdTe telah berhasil ditingkatkan dengan pemberian doping Cu(2%).
其他摘要：CdTe:Cu(2%) thin film has been successfully grown on Indium Tin Oxide (ITO) substrates by using dc magnetron sputtering. This study was carried out in order to investigate the effect of Cu(2%) doping on the morphologycal structure, crystal structure, phot
