摘要：Penelitian ini bertujuan untuk membuat sensor gas dengan sensitivitas baik, dipergunakan sebagai komponen dalam sistem pendeteksi kebocoran gas hidrogen. Bahan dasar sensor berbahan film tipis semikonduktor Gallium Nitrida (GaN) yang ditumbuhkan di atas substrat sapphire (Al2 O3 ) menggunakan teknik sol gel spin coating. Parameter penumbuhan film tipis temperatur penumbuhan 8500 C, laju spinner 1000 rpm, molaritas Ga2 O3 1,33 M dan laju aliran gas nitrogen 100 sccm. Hasil pengujian sifat listrik dalam lingkungan gas hidrogen ternyata resistansi listrik sensor gas menurun secara tajam dari 1,5 x 10-2 Ohm.cm menjadi 7 x 10-3 Ohm.cm bila laju aliran gas diperbesar dari 20 sccm hingga 150 sccm. Pengujian sensitivitas sensor gas dilakukan dalam lingkungan gas hidrogen dan gas nitrogen. Hasil pengujian sensor gas dalam lingkungan gas hidrogen memiliki sensitivitas sekitar 60 % sedangkan dalam lingkungan gas nitrogen sekitar 50 % laju aliran gas 100 sccm. Tingkat sensitivitas sensor gas dalam lingkungan gas hidrogen lebih tinggi dibandingkan dalam lingkungan gas nitrogen.
其他摘要：This research aims to make the gas sensors using GaN films that grown on sapphire substrate (Al2O3) by sol gel spin coating techniques with growth temparature 8500 C, spinner rate 1000 rpm, molarity of Ga2O3 1.33 M and nitrogen flow rate 100 sccm. Upon ex
关键词：Hydrogen Gas Sensor; GaN film; spin coating sol ge techniques
