期刊名称：Revista de Investigación, Desarrollo e Innovación
印刷版ISSN：2027-8306
电子版ISSN：2389-9417
出版年度：2015
卷号：6
期号：1
页码：85-92
DOI：10.19053/20278306.3267
出版社：Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
摘要：Este artículo muestra una metodología para el diseño de amplificadores clase F, basada en ecuaciones cerradas que permiten el cálculo directo de la red de acople de salida. Como demostración, un prototipo ha sido realizado usando el dispositivo GaN HEMT CGH40010 de Cree, obteniendo una eficiencia de drenaje máxima de 65%, ganancia a pequeña señal de 14.2 dB y potencia de salida en saturación de 41 dBm, usando excitación tipo sinusoidal. Las formas de onda obtenidas para el voltaje y la corriente de drenaje son coherentes con la teoría y los resultados en onda-continua son sobresalientes.
关键词：GaN-HEMT ; amplificador de potencia ; alta eficiencia ; HEMTs ; amplificador de microondas.
