摘要：Este trabalho teve como objetivo investigar processos paralelos e seriais nas falsas memórias (FM). Em um delineamento 3 x 3 x 3, foram manipulados os fatores carga de memória (3, 5 e 7 itens), tipo de item (alvo, distrator crítico e distrator não relacionado) e tempo de exposição dos itens (750, 1.500 e 3.000 milissegundos). O tempo de reação aumentou linearmente com o aumento da carga de memória, indicando que processos seriais atuam no processamento de alvos e de falsas memórias. Houve um aumento da percentagem de erros para alvos e distratores críticos com o aumento do tempo de exposição. Os dados foram discutidos em termos das teorias de memory scanning e de ativação/monitoramento.
关键词：Falsas memórias; Processos paralelos e seriais; Tempo de reação.
