摘要：Presentamos el desarrollo de un modelo de tipo multifísica para células de
silicio microcristalino de capas de conductividad p+πn+. Realizando
simulaciones investigamos el rol del dopaje de la capa π, de la velocidad de
recombinación en los contactos y de la densidad de defectos en los bordes de
grano sobre los parámetros eléctricos de salida y la eficiencia de conversión
energética. Los resultados muestran que los rendimientos del 10 % hallados
experimenalmente deben corresponderse con densidades de defecto del orden de
1011 cm-2 y capas π intrínsecas o de dopaje reducido. Las simulaciones
también muestran que la utilización de dopajes mayores, de forma tal
que resulten células pn+, permitiría alcanzar rendimientos del 15 %
únicamente si la velocidad de recombinación superficial en las superficies
delantera y trasera se mantiene por debajo de 100 cm/s.
