摘要：Presentamos un método para obtener la probabilidad de colección de portadores de carga en celdas solares. Utilizando curvas de eficiencia cuántica interna (IQE), y conociendo el perfil de generación de portadores de carga, resolvemos un problema inverso aplicando técnicas de regularización, extrayendo la probabilidad de colección. Aplicamos este método al estudio de curvas de IQE de celdas de Cu(In,Ga)Se2, introduciendo curvas de IQE partiendo de probabilidades de colección conocidas, con ruidos aleatorios que permiten simular errores experimentales. Al reconstruir dichas probabilidades, encontramos criterios para estimar el error admisible para mediciones de IQE. Aplicado a la extracción de la probabilidad de colección a partir de mediciones de IQE, obtenemos con resolución espacial el comportamiento electrónico en función de la profundidad, y magnitudes electrónicas características del material semiconductor.
