摘要：Для исследования структуры и оптических свойств диодов Шоттки на основе контактов кремниевая
подложка‐различные металлические пленки был применен метод инфракрасной (ИК) фотолюминесцен‐
ции. Для изучения влияния металлической пленки на свойства, электронную структуру и механизмы
токопереноса диодов Шоттки были исследованы диоды, подвергшиеся отжигу при температуре 773К в
течение 10 минут. Были получены и сравнены спектры фотолюминесценции кремниевой подложки и
контактов металл‐полупроводник с различными металлическими пленками. Полученные спектры выяви‐
ли влияние металлической пленки на электронную структуру кремния.
Loading...
