摘要：En este trabajo, utilizamos el espectro de la luz refl ejada en una muestra de Arsenuro de Galio (GaAs) bajo la infl uencia de una onda ultrasónica. El diferencial espectral es calculado como una diferencia entre el espectro del material obtenido bajo la infl uencia del ultrasonido y aquél obtenido sin dicha infl uencia. Este diferencial de refl ectancia espectral acusto-óptico (AODR) contiene algunas bandas que representan los niveles energéticos de los centros en la superfi cie de la muestra. Esta técnica está basada en la perturbación de los estados locales generada por el ultrasonido. Particularmente, este trabajo presenta un método para caracterizar los estados locales en la superfi cie y las interfaces en los cristales, así como estructuras epiteliales de baja dimensión basadas en materiales semiconductores. Para ello, se presenta un modelo teórico para explicar dicho espectro de refl ectancia diferencial (AODR). También se realizaron experimentos con estructuras de GaAs epitelial contaminado con Teluro (Te). Los resultados teóricos y experimentales obtenidos muestran que este método es una buena herramienta para caracterizar las trampas superfi ciales en estructuras epiteliales de semiconductores.
其他摘要：Optical spectra of light refl ection are detected under an infl uence of ultrasonic wave (UW) on a GaAs wafer. The differential spectrum is calculated as a difference between those taken under UW and without that infl uence on a sample. This acousto-optic differential refl ectance (AODR) spectrum contains some bands that represent the energetic levels of the shallow centers in a sample. A physical basis of this technique is related to a perturbation of local states by UW. Here, a method is developed for characterization of local states at the surfaces and interfaces in crystals and low-dimensional epitaxial structures based on microelectronics materials. A theoretical model is presented to explain AODR spectra. Also, experiments using epitaxial GaAs structures doped by Te were made. Finally, theoretical and experimental results show that acousto-optic refl ectance is an effective tool for characterization of shallow trapping centers in epitaxial semiconductor structures.
