摘要：Se depositaron películas delgadas de trióxido de tungsteno sobre vidrio por la técnica de erosión catódica, variando la presión de trabajo, PAr, desde 20 hasta 80 mTorr. La morfología superficial de las películas preparadas resultó ser muy similar independientemente de la presión de trabajo utilizada. La resistividad eléctrica fue investigada en función de la temperatura en el rango de 300 - 675 K. La película delgada depositada a 20 mTorr mostró un valor de resistividad menor que las otras películas como consecuencia de diferencias en el transporte de las especies en el gas de fondo. Las energías de activación para la conducción se encontraron que dependen de PAr. Nosotros interpretamos estos resultados por la formación de vacancias de oxígeno, cuya concentración depende de la presión de trabajo, aunque no se introdujo oxígeno intencionalmente en el sistema de crecimiento.
其他摘要：Tungsten oxide thin films were deposited by non-reactive rf sputtering technique varying working gas pressure, PAr, from 20 to 80 mTorr on glass substrate. The surface morphology of the prepared films is verysimilar irrespective of used working pressure. The electrical resistivity has been investigated as a function of temperature in the range of 300 - 675 K. Film deposited at 20 mTorr showed lower resistivity value than other films, as a consequence of difference in the transport of sputtered species in the background gas. The activation energies for conduction were found to depend on PAr. We have interpreted this result by the formation of oxygen vacancies, which concentrations change with working pressure, although the oxygen was not intentionally introduced in the growth system.
