1.The origin of the exceptionally low activation energy of oxygen vacancy in tantalum pentoxide based resistive memory

作　　者：Ji-Hyun Hur

出　　处：Scientific Reports. 2019 ;9(1):1-9.doi:10.1038/s41598-019-53498-3

出版社：Springer Nature

文章 ID：244238598

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2.Tuning of ionic mobility to improve the resistive switching behavior of Zn-doped CeO2

作　　者：Shania Rehman ;Honggyun Kim ;Muhammad Farooq Khan 等

出　　处：Scientific Reports. 2019 ;9(1):1-10.doi:10.1038/s41598-019-55716-4

出版社：Springer Nature

文章 ID：244241001

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3.First principles study of oxygen vacancy activation energy barrier in zirconia-based resistive memory

作　　者：Ji-Hyun Hur

出　　处：Scientific Reports. 2020 ;10(1):1-8.doi:10.1038/s41598-020-62270-x

出版社：Springer Nature

文章 ID：259924297

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4.A study on mechanism of resistance distribution characteristics of oxide-based resistive memory

作　　者：Ji-Hyun Hur ;Deok-kee Kim

出　　处：Scientific Reports. 2019 ;9(1):1-8.doi:10.1038/s41598-018-35838-x

出版社：Springer Nature

文章 ID：230240135

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5.III–V compound semiconductors for mass-produced nano-electronics: theoretical studies on mobility degradation by dislocation

作　　者：Ji-Hyun Hur ;Sanghun Jeon

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep22001

出版社：Springer Nature

文章 ID：235855323

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	Ji-Hyun Hur	5篇
	Deok-kee Kim	2篇
	Anthony D. Lee	1篇
	Honggyun Kim	1篇
	Muhammad Farooq Khan	1篇

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	2020	1篇
	2019	3篇
	2016	1篇

	Sanghun Jeon	1篇
	Shania Rehman	1篇