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1篇

出版年度

2018

1篇

作者

	Can Tan	1篇
	Jianjun Li	1篇
	Jingping Wu	1篇
	Jingyu Shen	1篇
	Rui Jiang	1篇

	Wei Li	1篇
	Xue Fan	1篇

来源期刊

Advances in Condensed Matter Physics

1篇

学科主题

物理

1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

英国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Jingyu Shen")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection

作　　者：Jingyu Shen ;Can Tan ;Rui Jiang 等

出　　处：Advances in Condensed Matter Physics. 2018 ;2018.doi:10.1155/2018/5483756

出版社：Hindawi Publishing Corporation

文章 ID：215715665

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