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1篇

出版年度

2020

1篇

作者

	Han-Sang Kim	1篇
	Jae-Yun Lee	1篇
	Kwan-Jun Heo	1篇
	Sung-Jin Kim	1篇

文章类型

Research Article

1篇

来源期刊

Scientific Reports

1篇

学科主题

自然科学总论

1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

英国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Kwan-Jun Heo")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Filamentary Resistive Switching and Capacitance-Voltage Characteristics of the a-IGZO/TiO 2 Memory

作　　者：Kwan-Jun Heo ;Han-Sang Kim ;Jae-Yun Lee 等

出　　处：Scientific Reports. 2020 ;10(1):1-11.doi:10.1038/s41598-020-66339-5

出版社：Springer Nature

文章 ID：259928966

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