首页期刊浏览 2024年12月01日星期日

登录注册

全文

有本地全文

2篇

出版年度

1989

2篇

作者

	Lee, Gyeong-Ho	2篇
	Lee, Yong-Tak	1篇
	Nam, Eun-Su	1篇
	Park, Hyo-Hun	1篇

来源期刊

ETRI Journal

2篇

学科主题

	应用物理学	2篇
	电信	2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

韩国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Lee, Gyeong-Ho")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.Diffusion Kinetics of Si in GaAs and Related Defect Chemistry

作　　者：Lee, Gyeong-Ho

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(4):75-83.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422127

文章详细全文下载
2.Impurity Diffusion Enhancement of Interdiffusion in GalnAsP Heterostructures Lattice Matched to GaAs and InP

作　　者：Park, Hyo-Hun ;Lee, Gyeong-Ho ;Nam, Eun-Su 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(4):84-97.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422128

文章详细全文下载

1

电话：010-85195300

E-mail：cassoa@cass.org.cn

地址：中国北京建国门内大街5号中国社会科学院1#楼

扫一扫关注微信

联系我们|关于我们|网站声明

国家哲学社会科学文献中心版权所有