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1篇

出版年度

1996

1篇

作者

	Choi, Sang-Soo	1篇
	Lee, Jin-Hee	1篇
	Park, Byung-Sun	1篇
	Park, Chul-Soon	1篇
	Pyun, Kwang-Eui	1篇

Yoon, Hyung-Sup

1篇

来源期刊

ETRI Journal

1篇

学科主题

	应用物理学	1篇
	电信	1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

韩国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Park, Byung-Sun")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistors with Super Low Noise Performances of 0.41 dB at 18 GHz

作　　者：Lee, Jin-Hee ;Yoon, Hyung-Sup ;Park, Byung-Sun 等

出　　处：ETRI Journal. 1996 ;18(3):171-171.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421989

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