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2篇

出版年度

1989

2篇

作者

	Park, Hyo-Hun	2篇
	Kim, Jin-Seop	1篇
	Lee, Gyeong-Ho	1篇
	Lee, Jae-Jin	1篇
	Lee, Yong-Tak	1篇

	Ma, Dong-Seong	1篇
	Maeng, Seong-Jae	1篇
	Nam, Eun-Su	1篇

来源期刊

ETRI Journal

2篇

学科主题

	应用物理学	2篇
	电信	2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

韩国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Park, Hyo-Hun")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.GaAs/A1GaAs HEMT구조의 2DEC 측정

作　　者：Lee, Jae-Jin ;Maeng, Seong-Jae ;Park, Hyo-Hun 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(4):67-74.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422126

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2.Impurity Diffusion Enhancement of Interdiffusion in GalnAsP Heterostructures Lattice Matched to GaAs and InP

作　　者：Park, Hyo-Hun ;Lee, Gyeong-Ho ;Nam, Eun-Su 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(4):84-97.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422128

文章详细全文下载

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