首页期刊浏览 2025年02月19日星期三

登录注册

全文

有本地全文

1篇

出版年度

2018

1篇

作者

	Alexander Morozov	1篇
	Dmitry Filatov	1篇
	Ivan Antonov	1篇
	Maria Koryazhkina	1篇
	Oleg Gorshkov	1篇

Stanislav Tikhov

1篇

来源期刊

Advances in Condensed Matter Physics

1篇

学科主题

物理

1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

英国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Stanislav Tikhov")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Ion Migration Polarization in the Yttria Stabilized Zirconia Based Metal-Oxide-Metal and Metal-Oxide-Semiconductor Stacks for Resistive Memory

作　　者：Stanislav Tikhov ;Oleg Gorshkov ;Ivan Antonov 等

出　　处：Advances in Condensed Matter Physics. 2018 ;2018.doi:10.1155/2018/2028491

出版社：Hindawi Publishing Corporation

文章 ID：215715668

文章详细全文下载

1

电话：010-85195300

E-mail：cassoa@cass.org.cn

地址：中国北京建国门内大街5号中国社会科学院1#楼

扫一扫关注微信

联系我们|关于我们|网站声明

国家哲学社会科学文献中心版权所有