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出版年度

	2021	1篇
	2017	1篇

作者

	Changming Fang	2篇
	Stoyan Nihtianov	2篇
	Vahid Mohammadi	2篇

来源期刊

Scientific Reports

2篇

学科主题

自然科学总论

2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

英国

2篇

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共 2 条记录

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1.A doping-less junction-formation mechanism between n-silicon and an atomically thin boron layer

作　　者：Vahid Mohammadi ;Stoyan Nihtianov ;Changming Fang

出　　处：Scientific Reports. 2017 ;7(1).doi:10.1038/s41598-017-13100-0

出版社：Springer Nature

文章 ID：235895670

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2.Author Correction: A doping-less junction-formation mechanism between n-silicon and an atomically thin boron layer

作　　者：Vahid Mohammadi ;Stoyan Nihtianov ;Changming Fang

出　　处：Scientific Reports. 2021 ;11.doi:10.1038/s41598-021-99821-9

出版社：Springer Nature

文章 ID：1035649402

文章详细

1

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