首页期刊浏览 2025年06月14日星期六

登录注册

全文

有本地全文

1篇

出版年度

2019

1篇

作者

	Jianjun Song	1篇
	Rongxi Xuan	1篇
	Xiaohuan Xue	1篇

来源期刊

Advances in Condensed Matter Physics

1篇

学科主题

物理

1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

英国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Xiaohuan Xue")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Finite Element Stress Model of Direct Band Gap Ge Implementation Method Compatible with Si Process

作　　者：Xiaohuan Xue ;Jianjun Song ;Rongxi Xuan

出　　处：Advances in Condensed Matter Physics. 2019 ;2019:1-10.doi:10.1155/2019/2096854

出版社：Hindawi Publishing Corporation

文章 ID：239552423

文章详细全文下载

1

电话：010-85195300

E-mail：cassoa@cass.org.cn

地址：中国北京建国门内大街5号中国社会科学院1#楼

扫一扫关注微信

联系我们|关于我们|网站声明

国家哲学社会科学文献中心版权所有