1.Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Electrical Properties of the 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs

作　　者：Peng Cui ;Yuanjie Lv ;Chen Fu 等

出　　处：Scientific Reports. 2018 ;8(1):12850.doi:10.1038/s41598-018-31313-9

出版社：Springer Nature

文章 ID：218190332

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2.Improved Linearity with Polarization Coulomb Field Scattering in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

作　　者：Peng Cui ;Yuanjie Lv ;Huan Liu 等

出　　处：Scientific Reports. 2018 ;8(1):983.doi:10.1038/s41598-018-19510-y

出版社：Springer Nature

文章 ID：230255531

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3.Hot electron induced non-saturation current behavior at high electric field in InAlN/GaN heterostructures with ultrathin barrier

作　　者：Lei Guo ;Xuelin Yang ;Anqi Hu 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep37415

出版社：Springer Nature

文章 ID：235870388

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4.Effect of Different Gate Lengths on Polarization Coulomb Field Scattering Potential in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

作　　者：Peng Cui ;Jianghui Mo ;Chen Fu 等

出　　处：Scientific Reports. 2018 ;8(1):9036.doi:10.1038/s41598-018-27357-6

出版社：Springer Nature

文章 ID：230247463

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5.A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based on open-gate technology

作　　者：Yang Liu ;Yuanjie Lv ;Shuoshuo Guo 等

出　　处：Scientific Reports. 2021 ;11.doi:10.1038/s41598-021-01917-9

出版社：Springer Nature

文章 ID：1036045733

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