1.CORRIGENDUM: Nanocrystalline ZnON; High mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application

作　　者：Eunha Lee ;Anass Benayad ;Taeho Shin 等

出　　处：Scientific Reports. 2014 ;4.doi:10.1038/srep06897

出版社：Springer Nature

文章 ID：110535990

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2.Nanocrystalline ZnON; High mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application

作　　者：Eunha Lee ;Anass Benayad ;Taeho Shin 等

出　　处：Scientific Reports. 2014 ;4.doi:10.1038/srep04948

出版社：Springer Nature

文章 ID：110532762

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3.Nanocrystalline ZnON; High mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application

作　　者：Eunha Lee ;Anass Benayad ;Taeho Shin 等

出　　处：Scientific Reports. 2015 ;4(1).doi:10.1038/srep04948

出版社：Springer Nature

文章 ID：235839043

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4.Erratum: CORRIGENDUM: Nanocrystalline ZnON; High mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application

作　　者：Eunha Lee ;Anass Benayad ;Taeho Shin 等

出　　处：Scientific Reports. 2015 ;4(1).doi:10.1038/srep06897

出版社：Springer Nature

文章 ID：235839949

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5.High mobility and high stability glassy metal-oxynitride materials and devices

作　　者：Eunha Lee ;Taeho Kim ;Anass Benayad 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep23940

出版社：Springer Nature

文章 ID：235856922

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