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1篇

出版年度

2018

1篇

作者

	DustenVernor	1篇
	Eugene John	1篇
	Santosh Koppa	1篇

来源期刊

International Journal of VLSI Design & Communication Systems

1篇

学科主题

计算技术、计算机技术

1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

印度

1篇

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共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Static Noise Margin Optimized 11nm Shorted-Gate and Independent-Gate Low Power 6T FINFET SRAM Topologies

作　　者：DustenVernor ;Santosh Koppa ;Eugene John

出　　处：International Journal of VLSI Design & Communication Systems. 2018 ;9(5).

出版社：Academy & Industry Research Collaboration Center (AIRCC)

文章 ID：235154165

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