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9篇

出版年度

	1989	4篇
	1987	1篇
	1986	3篇
	1985	1篇

作者

	Lee, Jin-Hyo	9篇
	Gwon, O-Jun	3篇
	Chae, Sang-Hun	2篇
	Gwak, Byeong-Hwa	2篇
	Lee, Sang-Hwan	2篇

	Baek, Mun-Cheol	1篇
	Cha, Ju-Yeon	1篇
	Choe, Hae-Uk	1篇
	Gu, Jin-Geun	1篇
	Jo, Gyeong-Ik	1篇
	Kim, Gwang-Su	1篇
	Kim, Jae-Ryeon	1篇
	Kim, Sang-Gi	1篇
	Lee, Gyeong-Su	1篇
	Lee, Jung-Hwan	1篇
	Lee, Won-Hong	1篇
	Lee, Yong-Jae	1篇
	Nam, Gi-Su	1篇
	No, Tae-Mun	1篇

来源期刊

ETRI Journal

9篇

学科主题

	应用物理学	9篇
	电信	9篇

语种

英文

9篇

国别/地区

韩国

9篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Lee, Jin-Hyo")))) )) ) )"

共 9 条记录

排序：全选导出：

1.급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 특성

作　　者：Lee, Gyeong-Su ;No, Tae-Mun ;Lee, Jung-Hwan 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):11-22.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422130

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2.$As^+$이온주입 단결정 실리콘의 Ellipsometric 연구

作　　者：Kim, Sang-Gi ;Lee, Won-Hong ;Gwak, Byeong-Hwa 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):23-31.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422131

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3.$BF_2^+$이온주입된 (100) 실리콘의 격자손상이 불순물 농도분포에 미치는 영향

作　　者：Baek, Mun-Cheol ;Lee, Sang-Hwan ;Gwak, Byeong-Hwa 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):43-64.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422134

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4.반도체 소자의 투과 전자 현미경(TEM) 관찰을 위한 단면 시료 제작 기술

作　　者：Cha, Ju-Yeon ;Gwon, O-Jun ;Lee, Jin-Hyo

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):65-72.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422135

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5.Short Channel n-MOSFET의 Breakdown 전압

作　　者：Kim, Gwang-Su ;Lee, Jin-Hyo

出　　处：ETRI Journal. 1987 ;9(1):118-124.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422271

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6.통신시스팀을 위한 고속바이폴라 기술

作　　者：Chae, Sang-Hun ;Lee, Jin-Hyo

出　　处：ETRI Journal. 1986 ;8(4):28-38.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422298

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7.통신용 반도체기술 특집개요

作　　者：Lee, Jin-Hyo ;Choe, Hae-Uk

出　　处：ETRI Journal. 1986 ;8(4):3-3.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422299

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8.2마이크론의 설계치수를 갖는 ISL설계 및 제작

作　　者：Lee, Yong-Jae ;Lee, Jin-Hyo

出　　处：ETRI Journal. 1986 ;8(3):15-23.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422311

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9.다결정 실리콘 Self-align에 의한 바이폴라 트랜지스터의 제작

作　　者：Chae, Sang-Hun ;Gu, Jin-Geun ;Kim, Jae-Ryeon 等

出　　处：ETRI Journal. 1985 ;7(4):11-14.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422349

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