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1篇

出版年度

2015

1篇

作者

	P. N. Kondekar	1篇
	Sangeeta Singh	1篇

来源期刊

International Journal of VLSI Design & Communication Systems

1篇

学科主题

计算技术、计算机技术

1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

印度

1篇

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共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Schottky Tunneling Source Impact Ionization Mosfet (STS-IMOS) with Enhanced Device Performance

作　　者：Sangeeta Singh ;P. N. Kondekar

出　　处：International Journal of VLSI Design & Communication Systems. 2015 ;6(3):41.doi:10.5121/vlsic.2015.6304

出版社：Academy & Industry Research Collaboration Center (AIRCC)

文章 ID：216765021

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