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2篇

出版年度

	2013	1篇
	1999	1篇

作者

	Chai, Sang Hoon	1篇
	Kim, Dae-Yong	1篇
	Kim, Jong-Dae	1篇
	Kim, Sang Gi	1篇
	Kim, Sang-Gi	1篇

	Koo, Jin Gun	1篇
	Koo, Jin-Gun	1篇
	Lee, Jin Ho	1篇
	Na, Kyoung Il	1篇
	Park, Hoon Soo	1篇
	Park, Hoon-Soo	1篇
	Park, Hyung-Moo	1篇
	Roh, Tae-Moon	1篇
	Won, Jongil	1篇
	Yang, Yil Suk	1篇
	Yoo, Seong Wook	1篇

来源期刊

ETRI Journal

2篇

学科主题

	应用物理学	2篇
	电信	2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

韩国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Park, Hoon Soo")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.Fabrication of Superjunction Trench Gate Power MOSFETs Using BSG-Doped Deep Trench of p-Pillar

作　　者：Kim, Sang Gi ;Park, Hoon Soo ;Na, Kyoung Il 等

出　　处：ETRI Journal. 2013 ;35(4):632-637.doi:10.4218/etrij.13.1912.0012

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114420536

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2.Characteristics of P-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides

作　　者：Kim, Jong-Dae ;Kim, Sang-Gi ;Roh, Tae-Moon 等

出　　处：ETRI Journal. 1999 ;21(3):22-22.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421916

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