首页期刊浏览 2024年11月25日星期一

登录注册

全文

有全文链接

1篇

出版年度

2022

1篇

作者

	Haoyu Wen	1篇
	Jiakuan Chen	1篇
	Ruijiao Ma	1篇
	Yuntao Zhang	1篇

来源期刊

SHS Web of Conferences

1篇

语种

英文

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Ruijiao Ma")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Patent research front mining of GaN semiconductor based on the LDA model

作　　者：Ruijiao Ma ;Yuntao Zhang ;Jiakuan Chen 等

出　　处：SHS Web of Conferences. 2022 ;140:1-4.doi:10.1051/shsconf/202214001019

出版社：EDP Sciences

文章 ID：1038051714

文章详细

1

电话：010-85195300

E-mail：cassoa@cass.org.cn

地址：中国北京建国门内大街5号中国社会科学院1#楼

扫一扫关注微信

联系我们|关于我们|网站声明

国家哲学社会科学文献中心版权所有