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3篇

出版年度

	2005	1篇
	2003	1篇
	2002	1篇

作者

	Song, Young-Joo	3篇
	Kang, Jin-Young	2篇
	Anderson, Wayne A.	1篇
	Cho, Kyoung-Ik	1篇
	Hong, Song-Cheol	1篇

	Mheen, Bong-Ki	1篇
	Park, Mi-Ran	1篇
	Shim, Kyu-Hwan	1篇

来源期刊

ETRI Journal

3篇

学科主题

	应用物理学	3篇
	电信	3篇

语种

英文

3篇

国别/地区

韩国

3篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Song, Young-Joo")))) )) ) )"

共 3 条记录

排序：全选导出：

1.Strained-SiGe Complementary MOSFETs Adopting Different Thicknesses of Silicon Cap Layers for Low Power and High Performance Applications

作　　者：Mheen, Bong-Ki ;Song, Young-Joo ;Kang, Jin-Young 等

出　　处：ETRI Journal. 2005 ;27(4):439-439.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421596

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2.DC and RF Characteristics of $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

作　　者：Song, Young-Joo ;Shim, Kyu-Hwan ;Kang, Jin-Young 等

出　　处：ETRI Journal. 2003 ;25(3):203-203.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421786

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3.Microstructure and Electrical Properties of Low Temperature Processed Ohmic Contacts to p-Type GaN

作　　者：Park, Mi-Ran ;Song, Young-Joo ;Anderson, Wayne A.

出　　处：ETRI Journal. 2002 ;24(5):349-349.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421818

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