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2篇

出版年度

	1994	1篇
	1991	1篇

作者

	Koak, Byung-Hwa	2篇
	Kwon, Oh-Joon	2篇
	Lee, Sang-Hwan	2篇
	Cho, Kyoung-Ik	1篇
	Jhung, Sung-Hwa	1篇

	Kang, Young-Il	1篇
	Kim, Sang-Gi	1篇
	Kwon, Kwang-Ho	1篇
	Lee, Hee-Tae	1篇
	Nahm, Sahn	1篇
	Park, Hyung-Ho	1篇

来源期刊

ETRI Journal

2篇

学科主题

	应用物理学	2篇
	电信	2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

韩国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Koak, Byung-Hwa")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.A Study on Modified Silicon Surface after $CHF_3/C_2F_6$ Reactive Ion Etching

作　　者：Park, Hyung-Ho ;Kwon, Kwang-Ho ;Lee, Sang-Hwan 等

出　　处：ETRI Journal. 1994 ;16(1):45-45.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422025

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2.RTA에 의한 $As^+$ 이온주입된 비정질층의 재결정화 연구

作　　者：Kim, Sang-Gi ;Koak, Byung-Hwa ;Lee, Sang-Hwan 等

出　　处：ETRI Journal. 1991 ;13(2):62-69.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422112

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