首页期刊浏览 2024年11月24日星期日

登录注册

全文

有本地全文

2篇

出版年度

2016

2篇

作者

	Jang-Sik Lee	2篇
	Un-Bin Han	2篇

来源期刊

Scientific Reports

2篇

学科主题

自然科学总论

2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

英国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Un-Bin Han")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.Integration scheme of nanoscale resistive switching memory using bottom-up processes at room temperature for high-density memory applications

作　　者：Un-Bin Han ;Jang-Sik Lee

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep28966

出版社：Springer Nature

文章 ID：235864943

文章详细全文下载
2.Bottom-up synthesis of ordered metal/oxide/metal nanodots on substrates for nanoscale resistive switching memory

作　　者：Un-Bin Han ;Jang-Sik Lee

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep25537

出版社：Springer Nature

文章 ID：235860400

文章详细全文下载

1

电话：010-85195300

E-mail：cassoa@cass.org.cn

地址：中国北京建国门内大街5号中国社会科学院1#楼

扫一扫关注微信

联系我们|关于我们|网站声明

国家哲学社会科学文献中心版权所有