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3篇

出版年度

2013

3篇

作者

	Lee, Jin Ho	3篇
	Won, Jongil	3篇
	Kim, Sang Gi	2篇
	Koo, Jin Gun	2篇
	Na, Kyoung Il	2篇

	Yang, Yil Suk	2篇
	Chai, Sang Hoon	1篇
	Kim, Jongdae	1篇
	Koo, Jin-Gun	1篇
	Oh, Hyung-Seog	1篇
	Park, Hoon Soo	1篇
	Park, Hyung-Moo	1篇
	Rhee, Taepok	1篇
	Yoo, Seong Wook	1篇

来源期刊

ETRI Journal

3篇

学科主题

	应用物理学	3篇
	电信	3篇

语种

英文

3篇

国别/地区

韩国

3篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Won, Jongil")))) )) ) )"

共 3 条记录

排序：全选导出：

1.Reverse-Conducting IGBT Using MEMS Technology on the Wafer Back Side

作　　者：Won, Jongil ;Koo, Jin Gun ;Rhee, Taepok 等

出　　处：ETRI Journal. 2013 ;35(4):603-609.doi:10.4218/etrij.13.1912.0030

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114420532

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2.Fabrication of Superjunction Trench Gate Power MOSFETs Using BSG-Doped Deep Trench of p-Pillar

作　　者：Kim, Sang Gi ;Park, Hoon Soo ;Na, Kyoung Il 等

出　　处：ETRI Journal. 2013 ;35(4):632-637.doi:10.4218/etrij.13.1912.0012

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114420536

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3.Electrical Characteristics of Triple-Gate RSO Power MOSFET (TGRMOS) with Various Gate Configurations and Bias Conditions

作　　者：Na, Kyoung Il ;Won, Jongil ;Koo, Jin-Gun 等

出　　处：ETRI Journal. 2013 ;35(3):425-430.doi:10.4218/etrij.13.0112.0246

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114420559

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