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	有本地全文	10篇
	有全文链接	1篇

出版年度

	1989	5篇
	1988	3篇
	1987	1篇
	1986	2篇

作者

	Gwon, O-Jun	11篇
	Lee, Sang-Hwan	4篇
	Baek, Mun-Cheol	3篇
	Gwak, Byeong-Hwa	3篇
	Lee, Jin-Hyo	3篇

	Kim, Sang-Gi	2篇
	Lee, Jung-Hwan	2篇
	Lee, Won-Hyeong	2篇
	Cha, Ju-Yeon	1篇
	Gwon, Sang-Jik	1篇
	Jang, Sang-Hwan	1篇
	Jo, Gyeong-Ik	1篇
	Lee, Won-Hong	1篇
	Yun, Seon-Jin	1篇

来源期刊

ETRI Journal

11篇

学科主题

	应用物理学	11篇
	电信	11篇

语种

英文

11篇

国别/地区

韩国

11篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Gwon, O-Jun")))) )) ) )"

共 11 条记录

排序：全选导出：

1.티타늄 실리사이드 박막의 형성과정에 대한 연구

作　　者：Lee, Jung-Hwan ;Lee, Sang-Hwan ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(4):50-56.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422124

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2.$As^+$이온주입 단결정 실리콘의 Ellipsometric 연구

作　　者：Kim, Sang-Gi ;Lee, Won-Hong ;Gwak, Byeong-Hwa 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):23-31.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422131

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3.$BF_2^+$이온주입된 (100) 실리콘의 격자손상이 불순물 농도분포에 미치는 영향

作　　者：Baek, Mun-Cheol ;Lee, Sang-Hwan ;Gwak, Byeong-Hwa 等

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):43-64.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422134

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4.반도체 소자의 투과 전자 현미경(TEM) 관찰을 위한 단면 시료 제작 기술

作　　者：Cha, Ju-Yeon ;Gwon, O-Jun ;Lee, Jin-Hyo

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(3):65-72.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422135

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5.$C_2F_6$/$CHF_3$ 반응성이온 건식식각 공정시 실리콘 표면에 생성된 잔류막과 표면구조의 연구

作　　者：Yun, Seon-Jin ;Jang, Sang-Hwan ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(1):89-96.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422160

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6.분광 엘립소메츠리에 의한 반도체소재의 특성분석

作　　者：Kim, Sang-Gi ;Lee, Won-Hyeong ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(3):221-229.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422189

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7.RSB를 이용한 As 이온 주입된 실리콘 시료분석

作　　者：Lee, Sang-Hwan ;Gwon, O-Jun ;Lee, Won-Hyeong

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(3):242-246.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422192

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8.Local Thermal Equilibrium 모델에 의한 이차이온 질량분석의 정량화 방법

作　　者：Gwak, Byeong-Hwa ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(2):63-69.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422208

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9.TEM을 이용한 Ion Implanted Sample의 관찰 및 분석

作　　者：Baek, Mun-Cheol ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1987 ;9(3):106-114.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422240

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10.LDD 방식에 의한 Short 채널 MOSFET의 특성

作　　者：Gwon, Sang-Jik ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1986 ;8(4):103-109.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422290

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